AlGaInP四元系LED磷化镓窗口层的粗化方法

摘要

一种AlGaInP四元系LED磷化镓窗口层的粗化方法，在无尘室中进行，步骤如下：1）将AlGaInP四元系红光LED外延片依次用丙酮、异丙醇和去离子水清洗后烘干；2）在外延片的GaAs衬底面旋涂光刻胶形成保护薄膜；3）将外延片进行湿法腐蚀，腐蚀溶液为饱和柠檬酸溶液和30wt%的H₂O₂溶液的混合溶液；4）腐蚀完成后，把外延片放入清洗花篮中，用显影剂清洗光刻胶，随后依次用丙酮、异丙醇和去离子水清洗外延片，得到粗化后的外延片，将粗化后的外延片进行光刻后制成芯片。本发明的优点是：通过湿法腐蚀选用一种弱酸对GaP窗口层表面进行粗化，有效地减少了出光界面的全反射，增加了LED器件的外量子效应。

主权项

一种AlGaInP四元系LED磷化镓窗口层的粗化方法，其特征在于：在无尘室中进行，步骤如下：1）将AlGaInP四元系红光LED外延片依次用丙酮、异丙醇和去离子水清洗，然后置于70℃氮气环境中烘干备用；    2）在上述烘干的外延片的GaP窗口层面贴上蓝膜，然后倒置于匀胶机上，在外延片的GaAs衬底面旋涂光刻胶，旋涂转数为500r/s，重复旋涂三次，每次间隔半小时，形成保护薄膜；3）将上述LED外延片的揭掉蓝膜后进行湿法腐蚀，腐蚀溶液为饱和柠檬酸（C₆H₈O₇）溶液和30wt%的H₂O₂溶液的混合溶液，搅拌均匀静置5min后，在50℃水浴条件下进行湿法腐蚀，静置反应2h，混合溶液中饱和柠檬酸溶液和H₂O₂溶液的体积比为1‑3:1；    4）腐蚀完成后，把外延片放入清洗花篮中，用显影剂清洗光刻胶，随后依次用丙酮、异丙醇和去离子水清洗外延片，得到粗化后的外延片，将粗化后的外延片进行光刻、背面镀金处理后制成芯片。