LDMOS块体FINFET器件和通信设备

摘要

本实用新型涉及LDMOS块体FINFET器件和通信设备。用于高压操作的横向双扩散MOS(LDMOS)块体finFET器件包括形成在基板材料上的第一阱区和两个或更多第二阱区以及包括基板材料的一个或多个非阱区。非阱区被配置为将第二阱区中的阱区分开。源极结构设置在第一鳍片上，该第一鳍片部分形成在第一阱区上。漏极结构设置在第二鳍片上，第二鳍片形成在第二阱区的最后一个上。一个或多个虚设区形成在一个或多个非阱区上。虚设区被配置为提供包括用于电荷载流子的垂直流动路径的附加耗尽区流动路径以支持高压操作。

主权项

一种用于高压操作的横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS块体finFET器件，其特征在于，所述器件包括：形成在基板材料上的第一阱区和两个或更多第二阱区以及包括基板材料的一个或多个非阱区，其中，所述一个或多个非阱区被配置为将所述两个或更多第二阱区中的阱区分开；源极结构，设置在被部分地形成在所述第一阱区上的第一鳍片上；漏极结构，设置在被形成在所述两个或更多第二阱区中的最后一个上的第二鳍片上；以及一个或多个虚设区，形成在所述一个或多个非阱区上，其中，所述虚设区被配置为提供包括用于电荷载流子的垂直流动路径的附加耗尽区流动路径以支持所述高压操作。