发明名称 |
プラズマ処理チャンバ、プラズマ処理チャンバの部品及びその製造方法 |
摘要 |
Parasitic plasma in voids in a component of a plasma processing chamber can be eliminated by covering electrically conductive surfaces in an interior of the voids with a sleeve. The voids can be gas holes, lift pin holes, helium passages, conduits and/or plenums in chamber components such as an upper electrode and a substrate support. |
申请公布号 |
JP5815703(B2) |
申请公布日期 |
2015.11.17 |
申请号 |
JP20130521760 |
申请日期 |
2011.07.18 |
申请人 |
ラム リサーチ コーポレーションLAM RESEARCH CORPORATION |
发明人 |
リッチ・アンソニー;ソーラブ・ウラル;マルチネス・ラリー |
分类号 |
H05H1/46;C23C16/44;C23C16/50;H01L21/3065;H01L21/31 |
主分类号 |
H05H1/46 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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