发明名称 プラズマ処理チャンバ、プラズマ処理チャンバの部品及びその製造方法
摘要 Parasitic plasma in voids in a component of a plasma processing chamber can be eliminated by covering electrically conductive surfaces in an interior of the voids with a sleeve. The voids can be gas holes, lift pin holes, helium passages, conduits and/or plenums in chamber components such as an upper electrode and a substrate support.
申请公布号 JP5815703(B2) 申请公布日期 2015.11.17
申请号 JP20130521760 申请日期 2011.07.18
申请人 ラム リサーチ コーポレーションLAM RESEARCH CORPORATION 发明人 リッチ・アンソニー;ソーラブ・ウラル;マルチネス・ラリー
分类号 H05H1/46;C23C16/44;C23C16/50;H01L21/3065;H01L21/31 主分类号 H05H1/46
代理机构 代理人
主权项
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