| 摘要 |
<p>dispositivo semicondutor e método de fabricação de um dispositivo semicondutor. trata-se de um dispositivo semicondutor que inclui uma camada de desvio disposta sobre um substrato. a camada de desvio tem uma superfície não plana que tem uma pluralidade de recursos de repetição orientados paralelos a um comprimento de um canal do dispositivo semicondutor. adicionalmente, cada um dos recursos de repetição tem uma concentração de dopante maior do que um restante da camada de desvio.</p> |
