Method for Growing Single Crystal and Apparatus for Pulling Up Single Crystal

摘要

본 발명은 쵸크랄스키법에 의해 석영도가니 내에서 용융한 실리콘원료의 용융액에서 단결정을 인상하여 성장시키는 방법에 있어서, 상기 석영도가니의 외벽측이 양극, 상기 단결정을 인상하는 인상축과는 별도로 설치되며, 상기 실리콘원료의 용융액에 침지된 전극측이 음극이 되도록 직류전압을 인가하고 상기 전극에서 전류를 흐르게 하면서 상기 인상축에 의해 단결정을 성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 성장방법과 그 인상장치이다. 이에 의해 실리콘 단결정의 성장과정에서 석영도가니의 내벽표면에 적절한 결정화층, 즉 실투를 발생시킴과 동시에 실리콘 단결정 중에 Li 등의 알카리금속이 취입되는 것을 방지함으로써 단결정수율과 생산성을 향상시킬 수 있으며, 또한 웨이퍼로 잘라내 후의 열산화처리에서의 산화막의 이상성장을 억제할 수 있는 실리콘단결정의 성장방법 및 인상장치가 제공된다.