| 摘要 |
CBRAM 또는 ReRAM 유형의 저항성 메모리 셀은 상부 전극(222), 그리고 하부 전극 연결부(200) 및 하부 전극 연결부와 인접한 제1 측벽 영역(214)으로부터 첨단 영역(212)으로 연장된 측벽(210)을 정의하는 트렌치 형상 하부 전극 구조를 포함하고, 여기서 하부 전극 연결부의 반대측을 향하여 있는 첨단 면(216)은 하부 전극 연결부와 인접한 제1 측벽 영역의 두께보다 작은 두께를 갖는다. 전해질 스위칭 영역(220)은 상부 전극과 하부 전극 첨단 영역 사이에 배열되어, 전압 바이어스가 저항성 메모리 셀에 적용될 때, 전해질 스위칭 영역을 통해 하부 전극 첨단 면(216)으로부터 상부 전극으로의 도전성 필라멘트 또는 베이컨시 체인(226)의 형성을 위한 경로를 제공한다. |
