发明名称 |
HIGH VOLTAGE BUSHING FOR CRYOGENICS APPLICATIONS |
摘要 |
고전압 극저온 응용들에서의 사용을 위한 전기 부싱이 개시된다. 부싱은 제 1 부싱 부분 및 제 2 부싱 부분 및 그 부분들 내부에 길이방향으로 배치된 전기 전도체를 포함한다. 전기 전도체는 제 1 부싱 부분으로부터 연장되는 제 1 단자 및 제 2 부싱 부분으로부터 연장되는 제 2 단자를 갖는다. 제 1 단자는 주위 온도에서 제 1 전기 엘리먼트에 결합하도록 구성되고, 제 2 단자는 극저온 온도에서 제 2 전기 엘리먼트에 결합하도록 구성된다. 제 1 및 제 2 부싱 부분들은 베이스 절연체(base insulator) 재료를 포함하고, 제 1 부싱 부분은 베이스 절연체 위에 배치된 환경 보호 층(environmental protection layer)을 더 포함한다. |
申请公布号 |
KR20150127660(A) |
申请公布日期 |
2015.11.17 |
申请号 |
KR20157027742 |
申请日期 |
2014.03.12 |
申请人 |
VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. |
发明人 |
TEKLETSADIK KASEGN D.;STANLEY CHARLES L.;FERSNA SEMAAN;VENUTO NICHOLAS A.;NICKERSON SCOTT |
分类号 |
H01B17/58;H01B12/00;H01B17/56;H02G15/34 |
主分类号 |
H01B17/58 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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