| 摘要 |
<p>본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징과, 상기 하우징 내에 제공되며 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과, 상기 하우징 내로 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과, 제1고주파 전력이 인가되어 상기 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 전극을 가지는 플라즈마 소스를 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 바디와, 상기 바디 내에 배치되며 교류 전류의 인가에 의해 가열되는 히터와, 상기 바디 내에 상기 전극과 상기 히터 사이에 배치되며, 상기 전극에 인가되는 주파수와 상기 히터에 인가되는 주파수 간의 간섭을 줄이는 제1플레이트를 갖는다. 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치는 플라즈마 발생을 위한 고주파 전력의 주파수와 가열을 위해 히터에 인가되는 교류 전류의 주파수 간의 간섭으로 인해 기판에서 온도 분포가 불균일해지는 것을 최소화할 수 있다.</p> |
