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发明名称
ベース幅決定式ラッチおよび非ラッチ状態を伴うMCT素子
摘要
<p>Methods and systems for a gate-controlled thyristor which switches between narrow-base operation in the ON state and wide -base operation in the OFF state, and which can only sustain latch-up in the narrow-base ON state.</p>
申请公布号
JP5815881(B2)
申请公布日期
2015.11.17
申请号
JP20140533485
申请日期
2012.10.01
申请人
发明人
分类号
H01L29/749;H01L29/06;H01L29/74
主分类号
H01L29/749
代理机构
代理人
主权项
地址
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