发明名称 半导体装置之制造方法,基板处理装置及记忆媒体
摘要 本发明提供一种可调整金属膜之工作函数之技术。;该技术系对处理室内之基板交替地供给包含第1金属元素之第1原料、及包含与第1金属元素不同之第2金属元素及乙基配位基之第2原料,而于基板上形成第2金属元素与氮元素之结合为具有结晶性之复合金属氮化膜。
申请公布号 TW201543557 申请公布日期 2015.11.16
申请号 TW104106190 申请日期 2015.02.26
申请人 日立国际电气股份有限公司 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 发明人 原田和宏 HARADA, KAZUHIRO;小川有人 OGAWA, ARITO
分类号 H01L21/285(2006.01);C23C16/34(2006.01);C23C16/455(2006.01) 主分类号 H01L21/285(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣宿希成
主权项
地址 日本 JP