发明名称 结晶性层叠结构体以及半导体装置
摘要 提供一种半导体特性好,特别地,导电性的易控制性好,能够在纵方向导通,具有良好的电学特性的结晶性层叠结构体。所述层叠结构体在所含主要成分为单轴取向的金属之金属层上,直接或介由其他层具备半导体层,并且所述半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体,所述结晶性氧化物半导体是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属的氧化物半导体,并且是单轴取向的。
申请公布号 TW201543547 申请公布日期 2015.11.16
申请号 TW104114711 申请日期 2015.05.08
申请人 FLOSFIA股份有限公司 FLOSFIA INC. 发明人 人罗俊实 HITORA, TOSHIMI;织田真也 ODA, MASAYA;高塚章夫 TAKATSUKA, AKIO
分类号 H01L21/18(2006.01);H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/18(2006.01)
代理机构 代理人 叶信金
主权项
地址 日本 JP