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发明名称
结晶性层叠结构体以及半导体装置
摘要
提供一种半导体特性好,特别地,导电性的易控制性好,能够在纵方向导通,具有良好的电学特性的结晶性层叠结构体。所述层叠结构体在所含主要成分为单轴取向的金属之金属层上,直接或介由其他层具备半导体层,并且所述半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体,所述结晶性氧化物半导体是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属的氧化物半导体,并且是单轴取向的。
申请公布号
TW201543547
申请公布日期
2015.11.16
申请号
TW104114711
申请日期
2015.05.08
申请人
FLOSFIA股份有限公司 FLOSFIA INC.
发明人
人罗俊实 HITORA, TOSHIMI;织田真也 ODA, MASAYA;高塚章夫 TAKATSUKA, AKIO
分类号
H01L21/18(2006.01);H01L21/02(2006.01)
主分类号
H01L21/18(2006.01)
代理机构
代理人
叶信金
主权项
地址
日本 JP
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