高密度低功率混合巨大自旋霍尔效应之自旋力矩转移（ＧＳＨＥ－ＳＴＴ）之磁阻随机存取记忆体;HIGH DENSITY LOW POWER GSHE-STT MRAM

摘要

本发明描述有关于一种记忆体元件之系统及方法，该记忆体元件包含一混合巨大自旋霍尔效应(GSHE)之自旋转移力矩(STT)之磁阻随机存取记忆体(MRAM)元件，该GSHE-STT MRAM元件包括：一GSHE条带，其形成于一第一端子(A)与一第二端子(B)之间；及一磁性穿隧接面(MTJ)，其中该MTJ之一自由层界接该GSHE条带，且该MTJ之一固定层耦接至一第三端子(C)。该自由层之易磁化轴之定向垂直于由穿越该第一端子与该第二端子之间的该GSHE条带之电子产生的磁化，使得该MTJ之该自由层经组态以基于自该第一端子注入至该第二端子/自该第二端子注入至该第一端子之一第一充电电流及通过该第三端子注入至该MTJ中/经由该第三端子(C)自该MTJ当中提取之一第二充电电流而切换。