| 发明名称 |
半导体元件及绝缘层形成用组成物 |
| 摘要 |
一种半导体元件及绝缘层形成用组成物，所述半导体元件具有半导体层与邻接于该半导体层的绝缘层，且绝缘层由如下的高分子化合物的交联物形成，所述高分子化合物具有由下述通式(IA)所表示的重复单元(IA)与由下述通式(IB)所表示的重复单元(IB)，所述绝缘层形成用组成物用以形成半导体元件的绝缘层，且含有具有下述重复结构(IA)及重复结构(IB)的高分子化合物。;通式中，R 1a 及R 1b 分别独立地表示氢原子、卤素原子或烷基。L 1a 、L 2a 及L 1b 分别独立地表示单键或连结基。X表示交联性基，Y B 表示分解性基或氢原子。m1a及m2a分别独立地表示1~5的整数。*表示所述重复单元的键结位置。 |
| 申请公布号 |
TW201542658 |
申请公布日期 |
2015.11.16 |
| 申请号 |
TW104114207 |
申请日期 |
2015.05.05 |
| 申请人 |
富士软片股份有限公司 FUJIFILM CORPORATION |
发明人 |
永田裕三 NAGATA, YUZO;滝沢裕雄 TAKIZAWA, HIROO;山田悟 YAMADA, SATORU |
| 分类号 |
C08L25/02(2006.01);C08L25/18(2006.01);C08L29/10(2006.01);C08L33/14(2006.01);C08L33/24(2006.01);C08L41/00(2006.01);H01L21/312(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L51/30(2006.01) |
主分类号 |
C08L25/02(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
