具有提供陡峭的次临界摆幅之磊晶层的三族氮化物电晶体;III-N TRANSISTORS WITH EPITAXIAL LAYERS PROVIDING STEEP SUBTHRESHOLD SWING

摘要

本发明系描述具有提供陡峭的次临界摆幅之磊晶半导体异质结构的III-N电晶体。在实施方式中，III-N HFET使用具有平衡且相反的III-N偏振材料的闸极堆叠。可由外场调节该相反的III-N偏振材料之整体有效偏振，例如与应用闸极电极电压相关。在实施方式中，藉由组成物与/或薄膜厚度，调整位于该闸极堆叠之中的该III-N材料间的偏振强度差异，以达到所期望的电晶体临限电压(Vt)。位于该闸极堆叠之中的偏振强度平衡，并彼此相反，正向与反向闸极电压扫描皆可在汲极电流产生陡峭的次临界摆幅，而电荷载子被传送往返该III-N偏振层及该III-N通道半导体。