发明名称 |
蚀刻基板的方法、蚀刻装置结构的方法以及处理设备;METHOD OF ETCHING SUBSTRATE, METHOD OF ETCHING DEVICE STRUCTURE, AND PROCESSING APPARATUS |
摘要 |
在一个实施例中,一种蚀刻基板的方法包含使用处理设备的控制设置的第一设定将第一离子束导引穿过所述处理设备的提取板到所述基板。所述方法可进一步包含:检测来自所述基板的信号,所述信号指示由所述第一离子束蚀刻的材料的从第一材料到第二材料的改变,基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于所述控制设置的第一设定的控制设置的第二设定,及使用所述控制设置的第二设定将第二离子束导引穿过所述提取板到所述基板。 |
申请公布号 |
TW201543602 |
申请公布日期 |
2015.11.16 |
申请号 |
TW104112628 |
申请日期 |
2015.04.21 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. |
发明人 |
葛特 卢多维克 GODET, LUDOVIC;迪斯塔苏 丹尼尔 DISTASO, DANIEL;文奴斯 尼尼 MUNOZ, NINI;马 崔斯坦 MA, TRISTAN;刘宇 LIU, YU |
分类号 |
H01L21/67(2006.01);H01L21/3065(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/67(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
叶璟宗郑婷文詹富闵 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |