发明名称 非依电性记忆体装置及具有此记忆体装置之储存装置;NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND STORAGE DEVICE HAVING THE SAME
摘要 发明概念的非依电性记忆体装置从一储存资料的真胞元与储存互补资料的互补胞元执行一读取运作,藉此增加或者使感测边界最大化。而且,该非依电性记忆体装置把数个真胞元/互补胞元连接到一字线,藉此明显地缩减一记忆体胞元阵列的尺寸。
申请公布号 TW201543477 申请公布日期 2015.11.16
申请号 TW104102123 申请日期 2015.01.22
申请人 三星电子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 表锡洙 PYO, SUK SOO;郑铉泽 JUNG, HYUNTAEK
分类号 G11C11/16(2006.01) 主分类号 G11C11/16(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群陈文郎
主权项
地址 南韩 KR