发明名称 |
允许低压汰换工具之原子层沉积处理腔室及具有其之处理系统;ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESSING CHAMBER PERMITTING LOW-PRESSURE TOOL REPLACEMENT AND PROCESSING SYSTEM HAVING HE SAME |
摘要 |
本揭露书是有关于一种用于元件制造之一原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)处理腔室之方法及设备,以及其汰换一气体配送板与遮罩之方法。ALD处理腔室具有一狭缝阀,其允许一气体配送板与遮罩之移除与汰换。ALD处理腔室也可具有多个致动器及一基板支撑组件,致动器可操作来使气体配送板移动至一制程位置,以及从一制程位置移动出来,基板支撑组件可操作来使遮罩移动至一制程位置,以及从一制程位置移动出来。 |
申请公布号 |
TW201542861 |
申请公布日期 |
2015.11.16 |
申请号 |
TW104101825 |
申请日期 |
2015.01.20 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 APPLIED MATERIALS, INC. |
发明人 |
栗田真一 KURITA, SHINICHI;库达 乔瑟 KUDELA, JOZEF;怀特 约翰 WHITE, JOHN M.;海斯 戴德 HAAS, DIETER |
分类号 |
C23C16/455(2006.01);C23C16/54(2006.01);H01L51/50(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
祁明辉林素华涂绮玲 |
主权项 |
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地址 |
美国 US |