发明名称 记忆体之积体电路上之资料保护方法及相关之记忆体电路;DATA PROTECTION METHOD FOR MEMORY INTEGRATED CIRCUIT AND ASSOCIATED MEMORY CIRCUIT
摘要 说明包括记忆体之积体电路上的资料之保护方法。一方法包括将非挥发性保护码储存在积体电路上。非挥发性保护码具有关于记忆体之复数区段中的各区段之表示保护状态之第一数值或表示未保护状态之第二数值。此方法包括将挥发性保护码储存在积体电路上。挥发性保护码具有关于复数区段中之各区段之表示保护状态之第一数值或表示未保护状态之第二数值。此方法包括当供特定区段用之挥发性保护码具有第一数值时,藉由使用积体电路上之电路阻止特定区段的修改,否则允许特定区段的修改,并在初始化程序中将挥发性保护码设定至非挥发性保护码之数值。
申请公布号 TW201543219 申请公布日期 2015.11.16
申请号 TW104105748 申请日期 2015.02.17
申请人 旺宏电子股份有限公司 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD. 发明人 洪俊雄 HUNG, CHUN-HSIUNG;张坤龙 CHANG, KUEN-LONG;陈耕晖 CHEN, KEN HUI;罗思觉 LO, SU-CHUEH
分类号 G06F12/14(2006.01);G06F21/78(2013.01) 主分类号 G06F12/14(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉林素华
主权项
地址 新竹县科学工业园区力行路16号 TW