氧化物烧结体及其制造方法、溅镀靶、及半导体装置

摘要

本发明提供一种氧化物烧结体、包含其之溅镀靶、及包含使用该溅镀靶利用溅镀法而形成之氧化物半导体膜(14)的半导体装置(10)，该氧化物烧结体系包含铟、钨、及锌者，且包含方铁锰矿型结晶相作为主成分，视密度大于6.5g/cm 3 且为7.1g/cm 3 以下，钨相对于铟、钨及锌之合计之含有率大于1.2原子%且小于30原子%，锌相对于铟、钨及锌之合计之含有率大于1.2原子%且小于30原子%。