| 摘要 |
본 발명은 비교적 높은 캐리어 이동도를 갖고, TFT의 채널층 재료로서 적합한 산화물 반도체 박막을 산질화물 결정질 박막에 의해 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은 In, O 및 N을 함유하는 비정질의 산질화물 반도체 박막, 또는 In, O, N 및 첨가 원소 M(M은 Zn, Ga, Ti, Si, Ge, Sn, W, Mg, Al, Y 및 희토류 원소로부터 선택되는 1종 이상의 원소)을 함유하는 비정질 산질화물 반도체 박막을, 가열 온도를 200℃ 이상, 가열 시간을 1분 내지 120분으로 하여 어닐 처리함으로써, 결정질의 산질화물 반도체 박막을 얻는 것이다. |
