半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

形成半导体装置的方法可包括在基板上形成在第一方向上延伸的鳍状主动图案，鳍状主动图案包括在基板上的下部图案以及在下部图案上的上部图案。在基板上、鳍状主动图案的侧壁上形成场绝缘层，且相较于场绝缘层的顶表面，部分的上部图案自基板凸出更多。形成与鳍状主动图案相交且在不同于第一方向的第二方向上延伸的虚拟闸极图案。所述方法包括在虚拟闸极图案的侧壁上形成虚拟闸间隙壁、在虚拟闸极图案的两侧上的鳍状主动图案中形成凹陷且在虚拟闸极图案的两侧上形成源极和汲极区。