半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明公开了一种实现了高耐压及低导通电阻之LDMOS之技术。;场氧化膜DFOX从闸极电极GE下部延伸至汲极区域DRR。复数个突出部PP从源极区域SOR侧朝向汲极区域DRR侧并从闸极电极GE之侧面突出。而且，从平面上看，复数个突出部PP沿着第2方向(与源极区域SOR及汲极区域DRR并排配置之第1方向垂直相交之方向)并排配置。复数个开口OP形成于场氧化膜DFOX中。从第1方向看，各开口OP位于相互邻接之突出部PP之间。而且复数个开口OP沿着第2方向与复数个突出部PP交互并排配置。相对于汲极区域DRR来说，开口OP之汲极区域DRR侧之边缘部更靠近源极区域SOR侧。另一方面，相对于闸极电极GE之上述侧面来说，开口OP之源极区域SOR之边缘部更靠近汲极区域DRR侧。