三维堆叠半导体结构之制造方法及其制得之结构;Method For Manufacturing Three Dimensional Stacked Semiconductor Structure and Structure Manufactured By The Same

摘要

一种三维堆叠半导体结构之制造方法及其制得之结构。实施例之制造方法中，形成一复合层于一基板上，且复合层包括复数个第一介电层和复数个第二介电层交替堆叠而成。之后。图案化复合层以形成复数个第一图案化堆叠和复数个间距于第一图案化堆叠之间，第一图案化堆叠其中之一具有一宽度F0，间距其中之一具有一宽度Fs。一实施例中，宽度F0系等于或大于2倍的宽度Fs。接着，移除第一图案化堆叠其中之一的部份第二介电层，以于第一图案化堆叠中形成复数个第一空腔。之后，填充第一导体于第一图案化堆叠之第一空腔内。