半导体元件及形成方法;SEMICONDUCTOR DEVICE WITH GATE STACKS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

本发明提供用以形成半导体元件的机制之实施例。半导体元件包括一半导体基板和一第一闸极堆叠。第一闸极堆叠包括：一闸极介电层；一第一功函数金属层；以及一第二功函数金属层，直接位于第一功函数金属层上。第二功函数金属层和第一功函数金属层具有相同的金属元素。半导体元件也包括一第二闸极堆叠。第二闸极堆叠包括：一闸极介电层；一阻障层；以及一第二功函数金属层。第二功函数金属层和阻障层不具有相同的金属元素。第一闸极堆叠的第二功函数金属层的一第一厚度大于第二闸极堆叠的第二功函数金属层的一第二厚度。