发明名称 反应腔室及半导体加工装置
摘要 本发明提供一种反应腔室及半导体加工装置。该反应腔室包括采用不导磁的材料制成的法拉第屏蔽环和采用绝缘材料制成的绝缘环,在法拉第屏蔽环上开设有沿轴向贯穿其环面的开缝,法拉第屏蔽环和绝缘环均环绕反应腔室的内周壁而设置在反应腔室内,且法拉第屏蔽环沿竖直方向叠置在绝缘环上。其中,环绕绝缘环的内周壁设置有遮蔽环,该遮蔽环与法拉第屏蔽环下表面上的靠近反应腔室中心的区域连接,该遮蔽环采用不导磁的材料制成且在其上开设有沿轴向贯穿其环面的开缝。本发明提供的反应腔室及半导体加工装置,不仅可以避免降低打火风险,而且可以降低金属粒子剥落对反应腔室造成的污染;另外,可以增大反应腔室的内径和可利用空间。
申请公布号 TW201543529 申请公布日期 2015.11.16
申请号 TW103140791 申请日期 2014.11.25
申请人 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 发明人 张彦召;佘清;陈鹏
分类号 H01J37/32(2006.01);G02F1/09(2006.01) 主分类号 H01J37/32(2006.01)
代理机构 代理人 蔡清福蔡驭理
主权项
地址 中国大陆 CN