多次可程式记忆体架构、互补金属氧化物半导体多次可程式记忆体架构、以及操作多次可程式记忆体架构之方法;MULTIPLE-TIME PROGRAMMABLE (MTP) MEMORY STRUCTURE,CMOS MTP MEMORY STRUCTURE,AND METHOD OF OPERATING A MTP MEMORY STRUCTURE

摘要

本发明揭露一种多次可程式记忆体(multiple-time programmable,MTP)架构。该多次可程式记忆体架构被提供以操作使用在具有1.5伏特至5.5伏特供应电压之一供应电源。当供应电压大于一第一电压时，一第一电路被配置以在一第二电晶体之一汲极引发一第二常数电压，以及在一第三电路中之一端点引发该第二常数电压。在一些实施例中，该第三电路提供一第三电压至一第三电晶体之一闸极。当该供应电压低于该第一电压，一第五电路被配置以在该第三电路中之一端点引发一第四常数电压。该第四常数电压等于该第二常数电压。