具有提高之崩溃电压的ＩＩＩ－Ｖ电晶体;III-N TRANSISTORS WITH ENHANCED BREAKDOWN VOLTAGE

摘要

本发明有关于具有提高之崩溃电压之III-N电晶体的技术、结合此等电晶体的系统、及用以形成所讨论之这些电晶体的方法。此等电晶体包括位于基板之上具有开口的硬遮罩；源极、汲极、及位于源极与汲极之间的通道，且源极或汲极的一部分系配置在硬遮罩的开口之上。