| 摘要 |
<p>질화규소원료 분말에, 산화마그네슘을 3 내지 4중량%, 적어도 1종의 희토류원소의 산화물을 2 내지 5중량%, 또한, 합계의 비율이 5 내지 8중량%로 되도록 혼합하여, 씨트 성형체로 해서 소결한 후, 복수매 포갠 상태에서 0.5 내지 6.0㎪의 하중을 인가하면서 1550 내지 1700℃로 열처리함으로써, 휨 및 표면 조도가 적합하게 조정된 질화규소 기판을 제조할 수 있다. 또한, 이것을 사용한 질화규소 회로기판 및 반도체 모듈을 제공한다.</p> |
