半导体晶圆应力分析;STRESS ANALYSIS OF SEMICONDUCTOR WAFERS

摘要

根据实施例之态様，一种方法可包括基于干涉术在沿半导体晶圆之扫描线之复数个部位处测量该晶圆之表面膜之膜厚度。该方法亦可包括基于干涉术在该复数个部位处测量该半导体晶圆之基材之基材厚度。另外，该方法可包括基于光学测量技术沿该扫描线测量该半导体晶圆之曲率。此外，该方法可包括基于在该复数个部位处之该所测量膜厚度、基于在该复数个部位处之该所测量基材厚度、及基于沿该扫描线之该所测量曲率，判定沿该扫描线的该表面膜之应力。