以散射术量测为基础之成像及关键尺寸度量;SCATTEROMETRY-BASED IMAGING AND CRITICAL DIMENSION METROLOGY

摘要

本发明呈现用于基于散射术量测资料来执行半导体结构及材料之量测之方法及系统。使用散射术量测资料以基于所侦测绕射级之所量测强度来产生一所量测结构之一材料性质之一影像。在某些实例中，依据该量测目标之该材料性质之图谱来直接判定一所关注参数之一值。在某些其他实例中，比较该影像与藉由该相同量测资料之一以几何模型为基础之参数反演而估计的结构特性。使用差异来更新该所量测结构之该几何模型且改良量测效能。此在经受以模型为基础之量测之一经制造结构之实际形状与该结构之经模型化形状之间存在显着偏离时，使得一度量系统能够收敛于一准确参数量测模型上。