OXIDE LAYER AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE LAYER, AS WELL AS CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM PROVIDED WITH OXIDE LAYER

摘要

본 발명의 하나의 산화물층(30)은, 비스무스(Bi)와 니오븀(Nb)으로 이루어지는 산화물층(불가피한 불순물을 포함할 수 있다.)을 구비하고 있다. 게다가, 산화물층(30)이 파이로클로어형 결정구조의 결정상을 가지고 있다. 그 결과, 종래법으로는 수득되지 않았던 높은 유전율을 구비한 비스무스(Bi)와 니오븀(Nb)으로 이루어지는 산화물을 함유하는 산화물층(30)을 얻을 수 있다.