场效电晶体之具有基脚之闸极结构;GATE STRUCTURE OF FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH FOOTING

摘要

本申请案揭示内容的一些实施例系提供一种场效电晶体结构，其包含第一半导体结构与闸极结构。该第一半导体结构包含通道区以及源极区与汲极区。该源极区与该汲极区系分别形成于该通道区的对侧上。该闸极结构包含中心区与基脚区。该中心区系形成于该第一半导体结构上方。该基脚区系形成于该中心区的对侧上并且沿着着该中心区与该第一半导体结构相邻之处。