发明名称 THERMAL SURFACE TREATMENT METHOD BY DRY PROCESS
摘要 <p>본 발명에 의한 마그네슘합금 표면처리용 고내식성과 균일한 산화막 형성을 위한 건식 TST 공법은 마그네슘합금 제품의 표면에 산화막을 형성하는 것으로 이루어지는 마그네슘합금 표면처리용 고내식성과 균일한 산화막 형성을 위한 건식 TST 공법에 있어서, 제품을 지그에 장착하여 챔버 내에 배치하는 지그배치단계와; 상기 지그배치단계에서 챔버 내에 배치된 제품의 표면에 알콜을 분사하는 알콜분사단계와; 상기 알콜분사단계에서 제품의 표면에 분사된 알콜을 점화함과 아울러 챔버 외부에서 산소를 공급하는 직화처리단계와; 상기 직화처리단계에서 알콜의 연소로 제품의 표면에 산화막을 형성한 후에 산소의 공급을 중단하고 제품의 표면에 붙은 불을 진화하는 진화단계; 를 포함하여 이루어지며, 또한 상기 진화단계에서는 상기 직화처리단계에서 제품의 표면에 붙은 불이 제품의 표면에서 부분적으로 발생하면서 소멸하는 시점에 챔버의 외부에서 질소를 공급하여 제품의 표면에 붙은 불을 진화하는 것을 특징으로 하며, 상기 알콜분사단계와 직화처리단계, 진화단계를 반복하여 제품의 표면에 형성된 산화막의 두께를 증대하는 것을 특징으로 한다.따라서 본 발명은 진화단계에서 제품에 분사된 알콜에 붙은 불을 진화하는 공정을 추가하기 때문에, 연소열의 온도가 떨어지는 시점과 제품의 표면에 부분적으로 붙어있는 불을 진화하여 제품의 표면에 얼룩이 발생되는 것을 용이하게 방지하고, 균일하고도 견고한 산화막을 용이하게 형성할 수 있는 등의 효과를 발휘한다.</p>
申请公布号 KR101565525(B1) 申请公布日期 2015.11.13
申请号 KR20140019607 申请日期 2014.02.20
申请人 发明人
分类号 C23C26/00 主分类号 C23C26/00
代理机构 代理人
主权项
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