发明名称 METAL COMPOUND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION MATERIAL CONTAINING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING METAL-CONTAINING THIN FILM
摘要 <p>본 발명은 하기 일반식(1)로 표시되는 신규 금속 화합물, 이것을 함유해서 이루어지는 화학기상성장용 원료 및 상기 원료를 이용한 화학기상성장법에 의한 금속함유 박막의 제조방법에 관한다. 상기 금속 화합물로서는 원료가 저렴하고 휘발성이 높은 점에서, 하기 일반식(1)에 있어서 X가 염소원자인 화합물이 바람직하고, M이 티타늄원자일 경우, 휘발 온도(증기 온도)와 박막 퇴적 온도(반응 온도)의 차이가 커, 프로세스 마진을 넓게 취할 수 있는 점에서 m이 1인 화합물이 바람직하다.(식 중, M은 티타늄, 지르코늄 또는 하프늄을 나타내고, X는 할로겐원자를 나타내며, m은 1 또는 2를 나타낸다.)</p>
申请公布号 KR101569138(B1) 申请公布日期 2015.11.13
申请号 KR20107009857 申请日期 2008.10.22
申请人 发明人
分类号 C07F7/00;C07F7/28;C23C16/34 主分类号 C07F7/00
代理机构 代理人
主权项
地址