发明名称 埋設SEM構造オーバーレイ標的を用いたOVLのためのデバイス相関計測法(DCM)
摘要 <p>本開示の局面は、デバイスの実質的に同一平面上の2つの層間の相対的位置の測定に用いられる標的を記載する。この標的は、第1の層および第2の層内の周期的構造を含む。第1の周期的構造および第2の周期的構造と各デバイス様構造との間の第1の層および第2の層の相対的位置の差を測定して、第1の周期的構造および第2の周期的構造間の第1の層および第2の層の相対的位置を修正することができる。本要約は、検索者または他の読者が本技術開示の内容を素早く確認できるようにするための要約を必要とする規則に基づいて提供されたものであることが強調される。本要約は、特許請求の範囲の範囲または意味を解釈または制限するために用いられるものではないものであるという理解の下に提出される。</p>
申请公布号 JP2015532733(A) 申请公布日期 2015.11.12
申请号 JP20150531199 申请日期 2013.09.05
申请人 发明人
分类号 G03F9/00;G01B11/00;G01B15/00 主分类号 G03F9/00
代理机构 代理人
主权项
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