| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung weist einen Schritt zum sequenziellen Bilden eines Isolierfilms (5, 6, 18, 19) und eines ersten Materialfilms (20) auf einem Halbleitersubstrat (1) auf, einen Schritt zum Bilden eines Maskenfilms (21, 22), der eine rechteckige erste Öffnung (31) aufweist, auf dem ersten Materialfilm und einen Schritt zum Trockenätzen des ersten Materialfilms unter Verwendung des Maskenfilms als Maske, um eine ellipsenförmige zweite Öffnung (31A) zu bilden, deren kürzere Seite in eine erste Richtung (Y) des ersten Materialfilms ausgerichtet ist. Der Schritt zum Bilden des Maskenfilms beinhaltet einen Schritt zum Bilden eines zweiten Materialfilms (21) mit einer Seitenoberfläche, die in die erste Richtung der ersten Öffnung gewandt ist, und eines dritten Materialfilms (21, 22) mit Seitenoberflächen, die in eine zweite Richtung der ersten Öffnung gewandt sind, und die Dicke des dritten Materialfilms ist größer als die Dicke des zweiten Materialfilms. |
