发明名称 3次元メモリアレイアーキテクチャ
摘要 3次元メモリアレイおよびその形成方法を提供する。実施例の3次元メモリアレイは、少なくとも絶縁材料によって互いに分離された複数の第1の導電線と、少なくとも1本の導電延長部が複数の第1の導電線の少なくとも1本の一部と交差するように複数の第1の導電線に対して実質的に直角に延在するように配置された少なくとも1本の導電延長部と、を備える積層体を備える。記憶素子材料は少なくとも1本の導電延長部の周囲に形成される。セル選択材料は少なくとも1本の導電延長部の周囲に形成される。【選択図】図4
申请公布号 JP2015532789(A) 申请公布日期 2015.11.12
申请号 JP20150530120 申请日期 2013.08.30
申请人 マイクロン テクノロジー, インク. 发明人 ピオ,フェデリコ
分类号 H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
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