反射性電極を有するオプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法

摘要

本発明は、半導体積層体（１０）を設けるステップと、半導体積層体（１０）の上面に金属ミラー層（２１）を配置するステップと、少なくともミラー層の露出側面（２１ｃ）にミラー保護層（３）を配置するステップと、半導体積層体（１０）を部分的に除去するステップとを含む、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の製造方法に関する。当該方法において、ミラー層（２１）は、ミラー保護層（３）によって、横方向（ｌ）を囲われる、半導体積層体（１０）に向かう開口部（２３）を有し；半導体積層体（１０）の部分的除去は、ミラー層（２１）の開口部（２３）の領域内で行われ；ミラー保護層（３）は、ミラー層（２１）の露出側面（２１ｃ）に、自己配置する。