Thermoelektrischer Energiesammler im Wafermaßstab

摘要

Eine integrierte Schaltung kann ein Substrat und eine dielektrische Schicht umfassen, die über dem Substrat ausgebildet ist. Mehrere thermoelektrische Elemente vom p-Typ und mehrere thermoelektrische Elemente vom n-Typ können innerhalb der dielektrischen Schicht angeordnet sein. Die thermoelektrischen Elemente vom p-Typ und die thermoelektrischen Elemente vom n-Typ können in Reihe geschaltet sein, wobei zwischen den thermoelektrischen Elementen vom p-Typ und den thermoelektrischen Elementen vom n-Typ abgewechselt wird.