| 摘要 |
<p>Verfahren zum Herstellen einer nichtflüchtigen Speichervorrichtung durch: Bereitstellen eines Substrats (1) mit Gräben (3) und Mesagebieten (4) und Hilfsstrukturen (5) auf den Mesagebieten (4); Aufbringen einer ersten Isolationsstruktur (13), welche Seitenwände und einen Bodenbereich der Gräben (3) und wenigstens teilweise Seitenwände der Hilfsstrukturen (5) bedeckt; Aufrechterhalten der ersten Isolationsstruktur (13) während nachfolgender Prozessschritte; Aufbringen eines Liners (15) auf der ersten Isolationsstruktur (13); Füllen der Gräben (3) und von Lücken zwischen den Hilfsstrukturen (5) mit einer zweiten Isolationsstruktur (20); und Rückbilden der zweiten Isolationsstruktur (20) auf eine Höhe unterhalb der Oberseite des Liners (15), wobei obere Abschnitte des Liners (15) freigelegt werden und der Teil der ersten Isolationsstruktur (13) im Seitenwandbereich der Hilfsstruktur (15) einen Spacer (21) ausbildet; und Ausbilden von Floating-Gates (19) mindestens teilweise anstelle der Hilfstrukturen (5, 51, 52, 53, 54).</p> |
