Halbleitervorrichtung und rückwärts leitender Bipolartransistor mit isoliertem Gate mit isolierten Sourcezonen

摘要

Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine Halbleitermesa (160) mit wenigstens einer Bodyzone (115), die erste pn-Übergänge (pn1) mit Sourcezonen (110) und einen zweiten pn-Übergang mit einer Driftzone (120) bildet. Eine Sockelschicht (130) an einer Seite der Driftzone (120) entgegengesetzt zu der wenigstens einen Bodyzone (115) umfasst erste Zonen (131) eines Leitfähigkeitstyps der wenigstens einen Bodyzone (115) und zweite Zonen (132) eines Leitfähigkeitstyps der Driftzone (120). Elektrodenstrukturen (150, 180) sind auf entgegengesetzten Seiten der Halbleitermesa (160) vorgesehen. Wenigstens eine der Elektrodenstrukturen (150, 180) umfasst eine Gateelektrode (155), die einen Ladungsträgerfluss durch die wenigstens eine Bodyzone (115) steuert. In einem Trennbereich (400) zwischen zwei der Sourcezonen ist (i) eine kapazitive Kopplung zwischen der Gateelektrode (155) und der Halbleitermesa (160) oder (ii) eine Leitfähigkeit von Majoritätsladungsträgern der Driftzone (120) niedriger als außerhalb des Trennbereiches (400).