| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft die dynamische Anpassung des Arbeitsbereichs (43), insbesondere eines oberen Endes (P1) des Arbeitsbereichs (43) einer Transistoreinheit (33) eines Halbleiterverstärkers (10) an unterschiedliche geforderte, insbesondere maximale Ausgangsleistungen der Transistoreinheit (33) zumindest durch Variation der der Transistoreinheit (33) zugeführten Versorgungsspannung.</p> |
