Metall-Halbleiter-Kontaktstruktur mit dotierter Zwischenschicht

摘要

Es ist ein Verfahren offenbart zum Ausbilden eines Metall-Halbleiter-Kontakts mit einer dotierten Metalloxid-Zwischenschicht. Eine Isolierschicht wird auf einer oberen Fläche eines Halbleitersubstrats ausgebildet, wobei ein Zielbereich an der oberen Fläche des Halbleitersubstrats liegt. Eine Öffnung wird durch die Isolierschicht geätzt, wobei die Öffnung eine obere Fläche eines Teils des Zielbereichs freilegt. Eine dotierte Metalloxid-Zwischenschicht wird in der Öffnung ausgebildet und kontaktiert die obere Fläche des Zielbereichs. Der Rest der Öffnung wird mit einem Metallzapfen gefüllt, wobei die dotierte Metalloxid-Zwischenschicht zwischen dem Metallzapfen und dem Substrat angeordnet ist. Die dotierte Metalloxid-Zwischenschicht wird aus entweder Zinnoxid, Titanoxid oder Zinkoxid ausgebildet und ist mit Fluor dotiert.