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Wenn eine Gate-Länge zum Zweck der Verringerung des Betriebswiderstands in einem SiC-DMOSFET verringert wird, ist es schwierig, sowohl die Verringerung des Betriebswiderstands durch die Verringerung der Gate-Länge als auch gleichzeitig die hohe Element-Stehspannung zu erzielen. In der vorliegenden Erfindung wird eine Körperschicht gebildet, nachdem der Source-Diffusionsschichtbereich gebildet wird und anschließend wird ein Abschnitt des Source-Diffusionsschichtbereichs ausgespart. Aufgrund des Vorhandenseins der Körperschicht können die Abstände zwischen dem Source-Diffusionsbereich und jeweiligen Endabschnitten vergrößert werden, wird eine Sperrschicht effektiv ausgeweitet, und kann eine Konzentration eines elektrischen Feldes an den Endabschnitten unterdrückt werden, wodurch die Stehspannungseigenschaften verbessert werden. Infolgedessen kann die vorliegende Erfindung eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung bereitstellen, die sowohl die Verringerung des Kanalwiderstands durch die Verringerung der Gate-Länge als auch gleichzeitig die hohe Element-Stehspannung erzielt. |
