发明名称 Halbleitereinrichtung
摘要 Es wird eine Halbleitereinrichtung mit einer Halbleiterschicht, die Si enthält, und eine Schottky-Elektrode, die in Schottky-Kontakt mit zumindest einem Teil einer der Hauptflächen der Halbleiterschicht ist, bereitgestellt. Ein Material der Schottky-Elektrode ist eine Al-Si Legierung, die zumindest ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ti, Ta, Nb, Hf, Zr, W, Mo und V besteht.
申请公布号 DE102015105801(A1) 申请公布日期 2015.11.12
申请号 DE201510105801 申请日期 2015.04.16
申请人 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 发明人 ITO, TAKAHIRO,;ONISHI, TORU,;YAMADERA, HIDEYA,;MACHIDA, SATORU,;YAMASHITA, YUSUKE,
分类号 H01L29/47;H01L29/812;H01L29/872 主分类号 H01L29/47
代理机构 代理人
主权项
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