摘要 |
Es wird eine Halbleitereinrichtung mit einer Halbleiterschicht, die Si enthält, und eine Schottky-Elektrode, die in Schottky-Kontakt mit zumindest einem Teil einer der Hauptflächen der Halbleiterschicht ist, bereitgestellt. Ein Material der Schottky-Elektrode ist eine Al-Si Legierung, die zumindest ein Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ti, Ta, Nb, Hf, Zr, W, Mo und V besteht. |
申请人 |
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
ITO, TAKAHIRO,;ONISHI, TORU,;YAMADERA, HIDEYA,;MACHIDA, SATORU,;YAMASHITA, YUSUKE, |