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실시 예들은 실리콘 함유 반사 방지 재료를 포함하고, 이 재료는 실리콘 함유 베이스 폴리머, 비-폴리머릭 실세스퀴옥산 재료, 및 광산 발생기를 포함한다. 상기 실리콘-함유 베이스 폴리머는 발색단 성분, 투명 성분, 및 SiO백그라운드 상의 반응 사이트를 포함할 수 있으며, 여기서 x는 대략 1에서 대략 2의 범위이다. 예시적 비-폴리머릭 실세스퀴옥산 재료에는 폴리헤드랄 올리고머릭 실세스퀴옥산들(polyhedral oligomeric silsesquioxanes)이 포함되는데, 이것은 친수기들에 링크된 산 불안정 사이드 그룹들(acid labile side groups linked to hydrophilic groups)을 갖는다. 예시적 산 불안정 사이드 그룹들에는 삼차 알킬 카보네이트들(tertiary alkyl carbonates), 삼차 알킬 에스테르들(tertiary alkyl esters), 삼차 알킬 에테르들(tertiary alkyl ethers), 아세탈들(acetals) 및 케탈들(ketals)이 포함된다. 예시적 친수기들에는 페놀들(phenols), 알코올들(alcohols), 카르복실 산들(carboxylic acids), 아미드들(amides), 및 술폰아미드들(sulfonamides)이 포함될 수 있다. 실시 예들은 리소그래픽 구조들을 더 포함할 수 있는데, 이는 유기 반사 방지 층과, 상기 유기 반사 방지 층 위에 전술한 실리콘-함유 반사 방지 층을, 그리고 전술한 실리콘-함유 반사 방지 층 위에 포토레지스트 층을 포함한다. 실시 예들은 전술한 실리콘-함유 반사 방지 층을 이용하는 리소그래픽 구조를 형성하는 방법을 더 포함한다. |
