| 发明名称 | 一种单分子磁体Dy<sub>2</sub>(salen)<sub>2</sub>(tta)<sub>4</sub>(OAc)<sub>2</sub>及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种单分子磁体Dy<sub>2</sub>(salen)<sub>2</sub>(tta)<sub>4</sub>(OAc)<sub>2</sub>及其制备方法，它涉及一种单分子磁体及其制备方法。本发明要解决目前所面临的稀土配合物单分子磁体合成产率较低，配合物的合成方法复杂，不能够批量生产等问题。一种单分子磁体Dy<sub>2</sub>(salen)<sub>2</sub>(tta)<sub>4</sub>(OAc)<sub>2</sub>的分子式为C<sub>84</sub>H<sub>56</sub>Dy<sub>2</sub>F<sub>12</sub>N<sub>4</sub>O<sub>16</sub>S<sub>4</sub>，晶系为三斜晶系。制备方法：将混合溶液C加热回流，再冷却至室温，再进行过滤，得到溶液D；再将混合溶液E通过溶液扩散方式扩散到溶液D中，再进行静置，得到单分子磁体Dy<sub>2</sub>(salen)<sub>2</sub>(tta)<sub>4</sub>(OAc)<sub>2</sub>。本发明可得到一种单分子磁体Dy<sub>2</sub>(salen)<sub>2</sub>(tta)<sub>4</sub>(OAc)<sub>2</sub>。 | ||
| 申请公布号 | CN105037405A | 申请公布日期 | 2015.11.11 |
| 申请号 | CN201510363035.6 | 申请日期 | 2015.06.26 |
| 申请人 | 黑龙江大学 | 发明人 | 高婷;陈若晞;闫鹏飞;李光明 |
| 分类号 | C07F5/00(2006.01)I;H01F1/42(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I | 主分类号 | C07F5/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人 | 牟永林 |
| 主权项 | 一种单分子磁体Dy<sub>2</sub>(salen)<sub>2</sub>(tta)<sub>4</sub>(OAc)<sub>2</sub>，其特征在于一种单分子磁体Dy<sub>2</sub>(salen)<sub>2</sub>(tta)<sub>4</sub>(OAc)<sub>2</sub>的分子式为C<sub>84</sub>H<sub>56</sub>Dy<sub>2</sub>F<sub>12</sub>N<sub>4</sub>O<sub>16</sub>S<sub>4</sub>，晶系为三斜晶系，空间群为P‑1，晶胞参数为<img file="FDA0000746819740000011.GIF" wi="1051" he="72" />α＝95.80(3)°，β＝100.18(3)°，γ＝90.38(3)°，V＝1967.8(7)，Z＝1。 | ||
| 地址 | 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号 | ||