一种三维集成芯片结构及其制备方法

摘要

本发明涉及三维集成领域，尤其涉及一种三维集成芯片结构及其制备方法，利用金属屏蔽电磁信号和传热更快更均匀原理，通过在晶圆上增加一层屏蔽层，用以消除相邻晶圆之间的串扰。所述屏蔽层可以将三维集成晶圆之间的串扰屏蔽到最小，并将剩下的部分分散均匀化，工艺简单。

主权项

一种三维集成芯片结构，其特征在于，所述三维集成芯片结构包括：键合晶圆，包括依次叠置的至少两片晶圆，且每片晶圆上设置有若干功能芯片；屏蔽层，设置于所述键合晶圆之中，用以屏蔽相邻晶圆的功能芯片之间的串扰。