发明名称 低输出阻抗的RF放大器
摘要 一种射频(RF)功率放大器,包括用于驱动共源极输出放大器级(514)的输入的低阻抗前级驱动器(513)。所述前置放大器(513)包括第一晶体管(502),其中所述第一晶体管具有与前置放大器的RF输入节点(501)耦合的第一端子;与前置放大器的RF输出节点(503)耦合的第二端子,以及与电源电压节点(515)耦合的第三端子。第一电感器(504)耦合在RF输出节点(503)与偏压节点(505)之间。RF输入节点(501)和RF输出节点(503)上的相应的第一和第二电压大体上是同相的,并且这两个电压之间的电压差确定了流经第一晶体管(502)的电流。
申请公布号 CN105048972A 申请公布日期 2015.11.11
申请号 CN201510430577.0 申请日期 2010.12.08
申请人 高通股份有限公司 发明人 苏珊娜·A·保罗;马里亚·葛登伯格
分类号 H03F1/08(2006.01)I;H03F1/56(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I;H03F3/50(2006.01)I 主分类号 H03F1/08(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 周敏
主权项 一种设备,包括:射频RF功率放大器级,包括:第一晶体管,具有与放大器的RF输入节点相耦合的第一端子、与放大器RF输出节点相耦合的第二端子、以及与电源电压节点相耦合的第三端子;耦合在RF输出节点与偏压节点之间的第一电感器;其中流经第一晶体管的电流受RF输入节点与RF输出节点之间的电压差控制;其中第一电感器与RF输出接点上呈现的电抗发生谐振;以及其中所述放大器RF输出节点是与下一放大器级相耦合的DC。
地址 美国加利福尼亚州