| 主权项 |
一种半导体元件之制造方法，包括：蚀刻一(110)矽基底，以于该(110)矽基底中形成第一沟槽，其中该(110)矽基底之该些沟槽间的剩余部分形成矽条(silicon strips)，且其中该些矽条之侧壁具有(111)表面定向(surface orientations)；于该些第一沟槽中填入一介电材料，以形成浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)区；移除该些矽条，以于该些浅沟槽隔离区间形成第二沟槽；进行一磊晶制程，于该些第二沟槽中成长半导体条；及消减(recessing)该些浅沟槽隔离区之顶部部分，其中该些浅沟槽隔离区之被移除顶部部份间之半导体条的顶部部分系形成半导体鳍(fin)。 |
